中国科学院兰州化学物理研究所

论文

论文题目：	Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates
第一作者：	Dong C(董琛)
联系作者：	韩修训
发表刊物：	Journal of Alloys and Compounds
发表年度：	2016
卷：	657
期：
页：	325-329

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