中国科学院兰州化学物理研究所

论文

论文题目：	Impacts of growth orientation and N incorporation on the interface-states and the electrical characteristics of Cu/GaAsN Schottky barrier diodes
第一作者：	Dong C(董琛)
联系作者：	韩修训
发表刊物：	Physica B: Condensed Matter
发表年度：	2017
卷：	527
期：
页：	52-56

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